AlN基衰减瓷的制备工艺及其性能研究.pdf
采用热压烧结工艺,通过实验确定了烧结温度和压力,制备出AIN基衰减瓷.对材料的物理性能进行测试,热导率大于50W/mK,抗折强度大于360MPa.同时从工程化应用的角度出发,对衰减瓷的匹配特性和衰减量进行了测试,驻波比小于1.2,隔离度小于-70dB.
作者：陈昀梁田杨磊刘洋任重
作者单位：南京三乐集团有限公司,江苏南京211800
母体文献：第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会论文集
会议名称：第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会
会议时间：2017年9月1日
会议地点：江西衢州
主办单位：中国真空电子材料行业协会
语种：chi
分类号：
关键词：氮化铝基衰减瓷 制备工艺 抗折强度 热导率
在线出版日期：2020年6月28日
基金项目：
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