2μm量子阱激光器的结构优化设计.pdf
目前半导体激光器功率转换效率低下,通过改变波导层限制层铝组分以及波导层厚度等方面的外延结构,可以降低串联电阻和工作电压,从而提高激光功率转换效率,为此使用固态源Gen-ⅡMBE系统,进行(AlGaIn）(AsSb）压应变单量子阱结构的激光器结构的稳定生长,通过改变波导层及限制层铝组分,结合标准的宽脊条半导体激光器制备工艺.
作者：张克露 谢圣文 张宇 徐应强 王金良 牛智川
作者单位：北京航空空航天大学,物理科学与核能工程学院,北京,100191;中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京,101408北京航空空航天大学,物理科学与核能工程学院,北京,100191
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TP3TN9
关键词：半导体激光器 量子阱 波导层 限制层 铝组分 制备工艺
在线出版日期：2019年8月12日
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