2μm波长高效率量子阱设计.pdf
采用MBE生长三种不同结构的应变量子阱,势垒厚度均为20nm,势阱厚度10nm,波长2μm左右.分别为AlGaAsSb数字合金作为势垒,InGaSb数字合金作为势阱,AlGaAsSb数字合金作为势垒,InGaSb体材料作为势阱;以及势阱和势垒均为为体材料,通过傅里叶光谱仪测试,发现数字合金作为势垒,体材料作为势阱可以大幅度提高量子阱的光谱强度.
作者：谢圣文张宇徐应强廖永平柴小力杨成奥牛智川
作者单位：中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京,101408
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：应变量子阱 分子束外延生长 数字合金 体材料 光谱强度
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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