2μmGaSb基单模量子阱激光器设计.pdf
采用MBE生长InGaAsSb应变量子阱,AlGaAsSb作为波导层和限制层,Al组分分别为0.4、0.9.采用双光束全息曝光法制备折射率导引侧向耦合分布反馈激光器,优化了条形波导的形状完成了二阶光栅的制备.激光器室温单纵模连续工作,单面输出功率8mW(未镀腔面膜）,边模抑制比23dB,斜率效率93mW/A,激射波长随温度的漂移系数0.05nm/mA.
作者：杨成奥廖永平柴小力谢圣文张宇徐应强牛智川
作者单位：中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京,101408
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：半导体激光器 单模量子阱 锑化镓基 制备工艺
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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