600V槽栅IGBT优良性能的机理分析.pdf
槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulategatebipolartransistor,IGBD的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善,为了论证这一问题,采用仿真工具SentaurusTCAD,针对600V的TrenchIGBT和PlanarIGBT两种结构的阻断特性、导通特性和开关特性等进行仿真分析,重点研究了2种结构在导通态时n-漂移区和沟道区各自所占的通态压降的比例以及n-漂移区内的过剩载流子数量.结果表明:2种结构的沟道区压降所占比例较小且相差很少,槽栅结构的n-漂移区内载流子数量远超平面栅结构,电导调制效果更好,即槽栅结构主要是对n-漂移区的电导调制的改善.同时研究了2种IGBT结构的Eoff-VCE(on)折中曲线,发现槽栅IGBT具有更低的通态压降和关断损耗.
作者：吴郁 周璇 金锐 胡冬青 贾云鹏 谭健 赵豹 李哲
作者单位：北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所,北京100192
母体文献：北京电力电子学会2017电力电子论坛论文集
会议名称：北京电力电子学会2017电力电子论坛
会议时间：2017年9月1日
会议地点：北京
主办单位：北京电力电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：绝缘栅双极晶体管 槽栅结构 阻断特性 导通特性 开关特性
在线出版日期：2020年11月30日
基金项目：
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