“IGBT先进制造面临机遇和挑战”圆桌论坛.pdf
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要减薄到100-200μm，甚至到80pm。比如在100～200pm量级，当硅片磨到这么薄后，后续的加工处理就比较困难了，特别是对于8寸以上的大硅片，极易破碎，难度更大。传统人工用吸笔传放晶圆，效率低、破片率高且易被污染。本文研制的IGBT薄片自动化传送设备，可安全地运送及翻转脆弱晶圆。机器人旁抓型夹爪及对位器具使用美国专利技术的智能接触设计。采用非接触原理，在晶圆和末端执行器之间产生便于空气流通的间隙，既可以避免晶圆面与夹持装置的接触，又能够产生足够的吸力来吸取晶圆。
作者：赵宁
作者单位：上海新创达智能科技有限公司
母体文献：2017中国集成电路产业发展研讨会暨第二十届中国集成电路制造年会论文集
会议名称：2017中国集成电路产业发展研讨会暨第二十届中国集成电路制造年会
会议时间：2017年9月26日
会议地点：南京
主办单位：中国半导体行业协会
语种：chi
分类号：U26TP2
关键词：绝缘栅双极晶体管器件 制备工艺 耐压指标 芯片厚度 晶圆传送 自动化设备
在线出版日期：2019年11月29日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 612.46 KB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
