ITO透明导电薄膜制备工艺优化.pdf
利用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,主要研究了氧气流量、基底温度、溅射功率和氩气流量等工艺参数对薄膜光电性能的影响,计算了薄膜的品质因数,并根据品质因数优化了薄膜的制备工艺.实验结果表明:当氧气流量为4sccm、基底温度为285℃、溅射功率为1500W、氩气流量为160sccm时所制得的薄膜品质因数最高,平均透过率为81.8％,电阻率为3.12×10-6Ω·m,光电综合性能较好.
作者：沈飞 龙华保 周尧明
作者单位：上海航天控制技术研究所,上海201109;中国航天科技集团公司红外探测技术研发中心,上海201109北京航空航天大学,北京100191
母体文献：2017年光学技术研讨会暨交叉学科论坛论文集
会议名称：2017年光学技术研讨会暨交叉学科论坛
会议时间：2017年9月20日
会议地点：昆明
主办单位：上海市红外与遥感学会,云南省光学学会
语种：chi
分类号：
关键词：氧化铟锡薄膜 射频磁控溅射 工艺优化 品质因数
在线出版日期：2020年6月28日
基金项目：
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