Hg在CeO2表面吸附的机理研究

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随着经济与科技的飞速发展,Hg的排放量不断增加,严重威胁着人类的生存环境和身体健康.对汞污染控制的方法较多,比如利用金属氧化物对其进行吸附.随着量子化学的不断完善和计算水平的不断提高,利用密度泛函理论研究Hg在金属氧化物表面的吸附已经成为认识Hg吸附机理的重要手段.本文建立了Hg在CeO2表面吸附的吸附模型,计算了Hg在CeO2表面吸附的结合能及键长,得到了Hg在CeO2上的吸附构型.研究结果显示,结构优化后的Hg原子远离吸附表面,与基底原子之间并未形成新的结合键.这从机理上进一步说明单纯依靠CeO2对Hg进行吸附是不可行的,在今后的研究中应该注重CeO2结构改变对Hg吸附的影响.
作者：孟帅琦侯文慧王小龙周劲松
作者单位：浙江大学能源清洁利用国家重点实验室,浙江杭州310027
母体文献：第十九届SO2、NOX、PM2.5、Hg污染防治技术研讨会论文集
会议名称：第十九届SO2、NOX、PM2.5、Hg污染防治技术研讨会  
会议时间：2015年5月16日
会议地点：上海
主办单位：中国环境科学学会
语种：chi
分类号：G30F11
关键词：氧化锗  吸附机理  结构优化  汞
在线出版日期：2017年11月24日
基金项目：
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2024-11-30 22:21 上传 Hg在CeO2表面吸附的机理研究.pdf

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