文档摘要：针对22nmFDSOI工艺在辐射环境下的单粒子瞬态问题,基于SentaurusTCAD仿真工具对22nmFDSOINMOS进行建模,仿真研究了22nmFDSOINMOS的单粒子瞬态敏感区域,以及不同偏置电压和工作温度对单粒子瞬态的影响机理.仿真结果表明,22nmFDSOINMOS的敏感区域为体区和靠近体区的LDD区域;随着偏置电压的升高,漏端总收集电荷逐渐增大,漏端瞬态脉冲电流的脉冲宽度逐渐减小;相较于偏置电压对单粒子瞬态的影响,工作温度对22nmFDSOINMOS单粒子瞬态的影响并不明显.
Abstract：Inordertoinvestigatesingle-eventtransient(SET)of22nmFDSOItechnology,wehavebuiltaFDSOINMOSmodelbasedonSentaurusTCADandcarriedoutvariousSETsimulationsin22nmFDSOINMOS.Thesensitiveregion,biasvoltageandtempera-turedependenceofSETin22nmFDSOINMOShavebeenexamined.Thesimulationresultsshowthatthesensitiveregionsin22nmFDSOINMOSarethebodyregionandLDDregionnearthebodyregion.Asthebiasvoltageincreases,thetotalcollectedchargeisin-creasing,andthewidthofdraintransientpulsecurrentisdeclining.Comparedtothebiasvoltage,theeffectofoperatingtemperatureonSETin22nmFDSOINMOSisnotsignificant.
作者：黄潇枫 李臣明 王海滨 孙永姝 王亮 郭刚 汪学明[5]Author：HUANGXiaofeng LIChenming WANGHaibin SUNYongshu WANGLiang GUOGang WANGXueming[5]
作者单位：河海大学人工智能与自动化学院,常州213200河海大学信息科学与工程学院,常州213200北京微电子技术研究所,北京100076中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心,北京102413中煤科工集团常州研究院有限公司,常州213015
刊名：集成电路与嵌入式系统 ISTIC
Journal：IntegratedCircuitsandEmbeddedSystems
年，卷(期)：2024, 24(7)
分类号：TN432
关键词：22nmFDSOI 单粒子瞬态 亚阈值 TCAD
Keywords：22nmFDSOI single-eventtransient subthreshold TCAD
机标分类号：TN386.1TN433TG146.21
在线出版日期：2024年7月16日
基金项目：国防科工局抗辐照应用技术创新基金重点项目偏置电压和温度对22nmFDSOI器件单粒子瞬态的影响研究[
期刊论文] 集成电路与嵌入式系统--2024, 24(7)黄潇枫 李臣明 王海滨 孙永姝 王亮 郭刚 汪学明针对22nmFDSOI工艺在辐射环境下的单粒子瞬态问题,基于SentaurusTCAD仿真工具对22nmFDSOINMOS进行建模,仿真研究了22nmFDSOINMOS的单粒子瞬态敏感区域,以及不同偏置电压和工作温度对单粒子瞬态的影响机理.仿真...参考文献和引证文献
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关键词：22nmFDSOI,单粒子瞬态,亚阈值,TCAD,
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