文档摘要：采用第一性原理计算和实验研究了Si掺杂金刚石薄膜的形成过程.运用第一性原理计算了Si粒子在具有活性位的氢终止金刚石(001)表面上的吸附能和迁移激活能.结果表明,Si粒子在该表面上吸附能和迁移激活能均为3.0-4.7eV.因此,Si粒子可以在氢终止金刚石表面活性位上吸附并形成稳定结构.采用微波等离子化学气相沉积方法制备了Si掺杂金刚石薄膜,电子扫描电镜检测验证了理论计算结果.
作者：刘学杰 乔海懋Author：LIUXue-Jie QIAOHai-mao
作者单位：内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头,014010
刊名：内蒙古科技大学学报
Journal：JournalofInnerMongoliaUniversityofScienceandTechnology
年，卷(期)：2017, 36(2)
分类号：TB43TQ164
关键词：第一性原理 迁移 吸附 Si掺杂金刚石膜
机标分类号：
在线出版日期：2017年8月4日
基金项目：国家自然科学基金，内蒙古自然科学基金硅掺杂金刚石薄膜形成过程的研究[
期刊论文] 内蒙古科技大学学报--2017, 36(2)刘学杰 乔海懋采用第一性原理计算和实验研究了Si掺杂金刚石薄膜的形成过程.运用第一性原理计算了Si粒子在具有活性位的氢终止金刚石(001)表面上的吸附能和迁移激活能.结果表明,Si粒子在该表面上吸附能和迁移激活能均为3.0-4.7eV.因此...参考文献和引证文献
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