电子硅胶对霍尔芯片性能改善的研究

文档摘要：封装结构应力失衡导致的霍尔芯片形变会造成霍尔灵敏度温漂和零点输出等性能变差.通过在芯片和塑封体之间增加电子保护硅胶层,可优化形变问题,使相关性能得到改善.首先测得电子硅胶和环氧塑封料的热膨胀系数,利用仿真软件计算得到2组芯片(有电子硅胶组和对照组)霍尔元件所受应力值,然后对制备得到的2组芯片实物进行云纹测试、超声扫描和电性能测试.结果表明,有电子硅胶芯片在实验温度区间翘曲度变化更加收敛,可靠性试验后,声扫没有分层失效问题;灵敏度温漂测试数据表明,有电子硅胶组在各温度点都有更好的收敛性,在45℃时收敛改善最为明显,标准差值从6.40改善至2.32;零点输出数据表明,有电子硅胶组在各温度点数据更接近目标值(2.5mV),其均值与目标差值从1.6E-3提升至1.2E-3.

Abstract：Structuralchangedcausedbyunbalancedpackagestress,whichwouldleadsensitivitydriftandzerooutputperformancedeterioration.Theissuecouldbeeffectivelyimprovedbyadditionalelectronicsilicagellayerbetweenchipandplasticseallayer.Firstly,theCTEvalueofelectronicsilicagelandplasticsealhadbeentested,andthehallsensor'sstressvalueindifferentgroups(withinandwithoutE-Silicagellayer)hadbeencalculatedbysimulationsoftware.Secondly,twogroupchipshadbeenprepared,andtestedbymoiretest,C-SACNandelectrictest.TheresultshowthegroupwithSilicagelhadbetterwarpingvalueconsistencyperformance,andbothgroupchiphadnostructuraldelaminationfailureafterreliabilitytest.ThegroupwithSilicagellayerhadbetterconvergenceperformanceinsensitivitytemperaturedrifttestin40℃,optimizedfrom6.4to2.3.ThezerooutputtestdataofgroupwithSilicagellayerhadcloservaluetothetarget(2.5mV),andtypicaldifferencevaluehadbeenoptimizedform1.6E-3to1.2E-3.

作者：时亚南  郑华雄  吕阳  关克Author：SHIYanan  ZHENGHuaxiong  LüYang  GUANKe
作者单位：宁波中车时代传感技术有限公司,浙江宁波315021
刊名：传感器世界
Journal：SensorWorld
年，卷(期)：2024, 30(5)
分类号：TN04
关键词：电子硅胶  霍尔芯片  应力缓冲  电性改善  
Keywords：electronicsilicagel  hallchip  stresscushion  electronicimprovement  
机标分类号：TN366TN91TP311.13
在线出版日期：2024年7月22日
基金项目：国家重点研发计划，国家重点研发计划电子硅胶对霍尔芯片性能改善的研究[
期刊论文]  传感器世界--2024, 30(5)时亚南  郑华雄  吕阳  关克封装结构应力失衡导致的霍尔芯片形变会造成霍尔灵敏度温漂和零点输出等性能变差.通过在芯片和塑封体之间增加电子保护硅胶层,可优化形变问题,使相关性能得到改善.首先测得电子硅胶和环氧塑封料的热膨胀系数,利用仿真软...参考文献和引证文献
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关键词：电子硅胶,霍尔芯片,应力缓冲,电性改善,

2024-10-3 23:50 上传 电子硅胶对霍尔芯片性能改善的研究.pdf

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