文档摘要：低噪声放大器是射频前端电路中非常敏感的部分,易受到强电磁环境辐射经天线耦合所产生大电压/电流的影响,出现性能降级甚至损伤击穿等问题.文章以典型低噪声放大器作为研究对象,分别采用连续波和脉冲波信号对低噪声放大器开展注入损伤试验,以其增益作为主要参考参数,研究了低噪声放大器的注入损伤效应.分析了注入信号中心频率、脉冲重复频率和脉冲宽度等参数对低噪声放大器的损伤阈值的影响,旨在为射频电路器件级的电磁安全防护提供参考.
Abstract：Lownoiseamplifier(LNA)isaverysensitivepartoftheRFfront-endcircuit,whichissusceptibletotheinfluenceoftheinducedvoltage/currentsignalgeneratedbyexternalstrongelectromagneticenvironmentsignalthroughantennacoupling,resultinginperformancedegradationorevendamagebreakdownandotherproblems.Inthispaper,thetypicalLNAcircuitsaretakenastheresearchobjects,andcontinuouswaveandpulsewavesignalsareusedtoconductinjectiontestsonLNA,withthegainasthemainreferenceparameter,theinjectiondamageeffectofLNAhasbeenstudied.Aimingtoprovidereferencefordevice-levelelectromagneticsecurityprotection,andtheeffectsofparameterssuchasthecenterfrequencyofinjectionsignal,pulserepetitivefrequency,andpulsewidthonthedamagethresholdoftheLNAhavebeenanalyzed.
作者：陈政宇 李峙 孙美秋 崔强 项道才Author：
作者单位：中国电子技术标准化研究院
刊名：安全与电磁兼容
Journal：Safety&EMC
年，卷(期)：2024, (3)
分类号：
关键词：低噪声放大器 注入损伤效应 损伤阈值
Keywords：lownoiseamplifier injectiondamageeffect damagethreshold
机标分类号：TN958TN820TN249
在线出版日期：2024年6月18日
基金项目：国家装备发展部资助项目低噪声放大器的注入损伤效应研究[
期刊论文] 安全与电磁兼容--2024, (3)陈政宇 李峙 孙美秋 崔强 项道才低噪声放大器是射频前端电路中非常敏感的部分,易受到强电磁环境辐射经天线耦合所产生大电压/电流的影响,出现性能降级甚至损伤击穿等问题.文章以典型低噪声放大器作为研究对象,分别采用连续波和脉冲波信号对低噪声放大...参考文献和引证文献
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