文档摘要：利用磁控溅射法在单晶Si基底上制备了Cu薄膜,通过分析薄膜退火前后的X射线衍射图谱、取向分布函数图、微观组织和背散射电子衍射数据,揭示了薄膜在退火过程中的织构演变行为.结果表明:采用低溅射气压制备的Cu薄膜具有较强的{111}纤维织构,沉积态Cu薄膜内部存在大量的小角度晶界和Σ3晶界,经过200℃退火后,小角度晶界减少,而Σ3晶界增加,出现了退火孪晶,释放了薄膜内部的弹性应变能,阻碍了{001}纤维织构的形成,使得沉积态和退火态下的Cu薄膜织构特征没有明显变化,均以{111}纤维织构为主.
作者：李玮 王炫力 Author：LIWei WANGXuanli
作者单位：内蒙古科技大学分析测试中心,内蒙古包头014010内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古包头014010
刊名：内蒙古科技大学学报
Journal：JournalofInnerMongoliaUniversityofScienceandTechnology
年，卷(期)：2023, 42(3)
分类号：TB383
关键词：Cu薄膜 退火 织构 孪晶
Keywords：Cufilm annealing texture twin
机标分类号：TG146.2TB383O782
在线出版日期：2023年12月22日
基金项目：内蒙古自治区自然科学基金资助项目，内蒙古科技大学创新基金资助项目磁控溅射Cu薄膜退火过程中的织构演变行为[
期刊论文] 内蒙古科技大学学报--2023, 42(3)李玮 王炫力利用磁控溅射法在单晶Si基底上制备了Cu薄膜,通过分析薄膜退火前后的X射线衍射图谱、取向分布函数图、微观组织和背散射电子衍射数据,揭示了薄膜在退火过程中的织构演变行为.结果表明:采用低溅射气压制备的Cu薄膜具有较强...参考文献和引证文献
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