文档摘要：通过固相反应法合成制备了Sr4RTiNb9O30(R=Sm,Eu,Gd)陶瓷,并通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、精密阻抗分析仪以及铁电性能测试系统对其进行了物相、结构和介电特性分析.结果表明:Sr4RTiNb9O30(R=Eu,Gd)陶瓷为P4bm四方钨青铜结构,而Sr4SmTiNb9O30为pnma正交结构.陶瓷表面晶粒均匀、致密且孔隙度低;从常温至300℃,3种陶瓷的介电常数和损耗均保持平稳,其中1MHz下,介电常数变化率为±5％;当温度升至500℃时,3种陶瓷均出现了介电异常增大现象;3种陶瓷在室温下均具有微弱的铁电性.
作者：胡长征 朱其华Author：HUChang-zheng ZHUQi-hua
作者单位：桂林理工大学材料科学与工程学院,桂林,541004
刊名：内蒙古科技大学学报
Journal：JournalofInnerMongoliaUniversityofScienceandTechnology
年，卷(期)：2016, 35(4)
分类号：TM282
关键词：钨青铜结构 介电性能 铁电体
机标分类号：
在线出版日期：2017年3月10日
基金项目：国家自然科学基金资助项目，广西自然科学基金资助项目，广西有色金属及特色材料加工省部共建国家重点实验室培育基地开放基金Sr4RTiNb9O30陶瓷的制备及其介电特性[
期刊论文] 内蒙古科技大学学报--2016, 35(4)胡长征 朱其华通过固相反应法合成制备了Sr4RTiNb9O30(R=Sm,Eu,Gd)陶瓷,并通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、精密阻抗分析仪以及铁电性能测试系统对其进行了物相、结构和介电特性分析.结果表明:Sr4RTiNb9O30(R=Eu,Gd)陶瓷为P4bm四方钨...参考文献和引证文献
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