T_CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

标准编号：T/CASAS006—2020
中文标题：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
英文标题：Thegeneralspecificationforsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield-effect-transistor
国际标准分类号：29.045
中国标准分类号：
国民经济分类：C397电子器件制造
发布日期：2020年12月28日
实施日期：2021年01月01日
起草人：许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬
起草单位：中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司
范围：本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。
主要技术内容：本文件充分借鉴了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistorsforpowerswitchingapplications的内容，并结合了近几年科研人员在SiCMOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiCMOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiCMOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。

关键词：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟,T/CASAS,电子器件制造,碳化硅,晶体管,氧化物

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2024-9-29 15:42 上传 T_CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范.pdf

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