T_CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

标准编号：T/CASAS016—2022
中文标题：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
英文标题：Transientdualtestmethodforthemeasurementofthethermalresistancejunctiontocaseofsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
中国标准分类号：
国民经济分类：C397电子器件制造
发布日期：2022年07月18日
实施日期：2022年07月18日
起草人：付志伟、侯波、周斌、陈思、杨晓锋、陈义强、陈媛、来萍、黄云、路国光、刘奥、郭怀新、李巍巍、李金元、李尧圣、王来利、刘斯扬、杨家跃、崔益军、唐宏浩、乔良、徐瑞鹏。
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、国网智能电网研究院有限公司、西安交通大学、东南大学、山东大学、南京航空航天大学、深圳基本半导体有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
范围：本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。本文件仅适用于SiCMOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试。
主要技术内容：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiCMOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义。

关键词：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟,T/CASAS,电子器件制造,碳化硅,晶体管,氧化物

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2024-9-29 15:42 上传 T_CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法.pdf

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