T_CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法

标准编号：T/CASAS027—2023
中文标题：射频GaNHEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
英文标题：Two—dimensionalelectrongasmobilityofRFGaNHEMTepitaxialwafers—Non—contactHallmeasurementmethod
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
中国标准分类号：
国民经济分类：C398电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2023年06月30日
实施日期：2023年07月01日
起草人：魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、RogerLuo、裴轶、徐瑞鹏。
起草单位：中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVASYTEMINC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
范围：
主要技术内容：T/CASAS027—2023《射频GaNHEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaNHEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaNHEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100〖cm〗^2?(V?s)～20000〖cm〗^2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InPHEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。

关键词：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟,T/CASAS,电子元件及电子专用材料制造,霍尔,外延,射频

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2024-9-29 15:42 上传 T_CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法.pdf

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