T_CASAS 030-2023 GaN毫米波前端芯片测试方法

标准编号：T/CASAS030—2023
中文标题：GaN毫米波前端芯片测试方法
英文标题：MeasurementmethodsonGaNmillimeterWavefront-endMMIC
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
中国标准分类号：
国民经济分类：C398电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2023年06月30日
实施日期：2023年07月01日
起草人：周强、龚健伟、余旭明、刘建利、王茂俊、徐瑞鹏。
起草单位：中国电子科技集团第五十五研究所、中兴通讯股份有限公司、北京大学、苏州能讯高能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团第十三研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
范围：
主要技术内容：T/CASAS030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》描述了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端芯片领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端芯片性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等。

关键词：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟,T/CASAS,电子元件及电子专用材料制造,毫米波,芯片,测试

T_CASAS 030-2023 GaN毫米波前端芯片测试方法.pdf

2024-9-29 15:42 上传 T_CASAS 030-2023 GaN毫米波前端芯片测试方法.pdf

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