T_CNS 81-2022 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法

标准编号：T/CNS81—2022
中文标题：电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法
英文标题：Simulationtestmethodofprotoninduceddisplacementdamageeffectsincharge-coupleddevice
国际标准分类号：27.120.01核能综合
中国标准分类号：F70
国民经济分类：C397电子器件制造
发布日期：2022年12月16日
实施日期：2023年04月01日
起草人：文林、李豫东、郭旗、周东、何承发、张兴尧、于新、冯婕、王信、张丹、崔帅、李鹏伟
起草单位：中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团公司第五研究院物资部
范围：本文件适用于宇航用CCD位移损伤效应辐照试验。
主要技术内容：本文件描述了采用质子对电荷耦合器件（CCD）进行位移损伤效应辐照试验的一般要求、试验方法和程序。

关键词：中国核学会,T/CNS,电子器件制造,质子,电荷,位移

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2024-9-29 14:45 上传 T_CNS 81-2022 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法.pdf

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