T_CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法

标准编号：T/CNS82—2022
中文标题：宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法
英文标题：Testmethodfortotalionizingdoseeffectofstaticrandom-accessmemoryinspaceapplication
国际标准分类号：27.120.01核能综合
中国标准分类号：F70
国民经济分类：C397电子器件制造
发布日期：2022年12月16日
实施日期：2023年04月01日
起草人：郑齐文、崔江维、余学峰、郭旗、李豫东、王信、张丹、陆妩、何承发、崔帅、李鹏伟
起草单位：中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团有限公司第五研究院宇航物资保障事业部
范围：本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力，抗辐射加固SRAM试验验证，SRAM总剂量效应研究。
主要技术内容：本文件规定了宇航用静态随机存储器（StaticRandom-AccessMemory,SRAM）总剂量(totalionizingdose,TID)效应试验方法。

关键词：中国核学会,T/CNS,电子器件制造,剂量,存储器,宇航

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2024-9-29 14:45 上传 T_CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法.pdf

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