T_ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片

标准编号：T/ZZB2833—2022
中文标题：高压MOSFET用200mm硅外延片
英文标题：200mmsiliconepitaxialwafersforhighvoltageMOSFET
国际标准分类号：29.045
中国标准分类号：H82
国民经济分类：C398电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2022年12月08日
实施日期：2022年12月31日
起草人：本文件主要起草人：许峰、李慎重、李刚、刘红方、朱华英、李方虎、李艳玲。
起草单位：本文件由宁波市标准化研究院牵头组织制定。本文件主要起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司。本文件参与起草单位：金瑞泓科技（衢州）有限公司。
范围：
主要技术内容：本文件规定了高压MOSFET用200mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200mm、外延层厚度为40μm～80μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件（简称高压MOSFET）。

关键词：浙江省质量协会,T/ZZB,电子元件及电子专用材料制造,外延,高压,mm

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