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[农、林、牧、渔业] T_CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片

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1 黄金阳光 发表于 2024-9-29 00:11 | 查看全部 阅读模式
标准编号:T/CASAS003—2018
中文标题:p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
英文标题:4H-SiCEpitaxialWafersforp-IGBTDevices
国际标准分类号:31.080.01半导体器分立件综合
中国标准分类号:
国民经济分类:A011谷物种植
发布日期:2018年11月20日
实施日期:2018年11月20日
起草人:孙国胜、李锡光、杨霏、柏松、李诚瞻、高玉强、许恒宇、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙
起草单位:东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、中国科学院微电子研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院
范围:
主要技术内容:SiC半导体材料以其独特的优异性能,特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件,如SiCPiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看,n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似,所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底,为了制造n沟道IGBT器件材料,需要使用反转型n沟道IGBT器件结构,制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比,p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单,而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底,即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料,正是该p+型漂移层,使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能。

关键词:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟,T/CASAS,谷物种植,沟道,碳化硅,晶片

T_CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片.pdf
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