GBT 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

半导体器件分立器件第8部分;场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
Semiconductordevices--Discretedevices.Part8：Field-effecttransistors.SectionOne--Blankdetailspecificationforsingle-gatefield-effecttransistorsupto5Wand1GHz

摘要:本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。本空白规范是与GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》DEC747-10：1984）和GB/T1260-900《半导体器件分立器件规范》（IEC747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。

标准编号：GB/T6219-1998
标准类型：CP
发布单位：CN-GB
发布日期：1998年1月1日
强制性标准：否
实施日期：1999年1月1日
关键词：规范,场效应晶体管,半导体器件,semiconductordevices,fieldeffecttransistors,specification,specifications,field-effecttransistors

GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范.pdf

2024-9-26 14:24 上传 GBT 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范.pdf

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