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GBT 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

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admin 发表于 2024-9-26 14:04 | 查看全部 阅读模式
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
Standardtestmethodfornetcarrierdensityinsiliconeqitaxiallayersbyvoltage-capacitanceofgatedandungateddiodes

摘要:本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录B)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层,也适用于体材料。

标准编号:GB/T14863-1993
标准类型:CF
发布单位:CN-GB
发布日期:1993年1月1日
强制性标准:否
实施日期:1994年1月1日
关键词:外延层,电容,二极管,电压,硅

GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法.pdf
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