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[电子元器件与信息技术] GBT 28275-2012 硅基MEMS制造技术.氢氧化钾腐蚀工艺规范

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admin 发表于 2024-9-26 13:31 | 查看全部阅读模式

硅基MEMS制造技术.氢氧化钾腐蚀工艺规范
Silicon-basedMEMSfabricationtechnology.SpecificationforKOHetchprocess

摘要:本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。

标准编号：GB/T28275-2012
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2012年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2012年1月1日
关键词：集成电路,氢氧化钾,耐腐蚀性,工艺,INTEGRATEDCIRCUIT,INTEGRATEDCIRCUITS,PATASSIUMHYDROXIDE,POTASSIUMHYDROXIDE,POTASSIUMHYDROXIDES,CORROSIONRESISTANCE,PROCESSES,WORKMANSHIP

GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术.氢氧化钾腐蚀工艺规范.pdf

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氢氧化钾, 腐蚀, 工艺, 制造

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