[电子元器件与信息技术] GBT 36474-2018 半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 DDR3 SDRAM测试方法

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admin 发表于 2024-9-26 13:13 | 查看全部阅读模式

半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)测试方法
Semiconductorintegratedcircuit—Measuringmethodsfordoubledatarate3synchronousdynamicrandomaccessmemory(DDR3SDRAM)

摘要:本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)功能验证和电参数测试。

标准编号：GB/T36474-2018
标准类型：GB
发布单位：国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2018年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2019年1月1日
关键词：

GB/T 36474-2018 半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法.pdf

2024-9-26 13:13 上传

GBT 36474-2018 半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 DDR3 SDRAM测试方法.pdf

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集成电路, 半导体, 存储器, 双倍, 速率

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