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[电子元器件与信息技术] GBT 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

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admin 发表于 2024-9-26 13:11 | 查看全部阅读模式

制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
Equipmentforpreparationofnitridesemiconductormaterialsbyhydridevaporphaseepitaxy

摘要:本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于制备直径50.8mm～152.4mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

标准编号：GB/T36646-2018
标准类型：GB
发布单位：国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2018年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2019年1月1日
关键词：

GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备.pdf

2024-9-26 13:11 上传

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氮化物, 氢化物, 外延, 制备, 半导体材料

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