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SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法

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admin 发表于 2024-9-26 12:28 | 查看全部阅读模式

半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法
Methodofmeasurementforcollector-emitterreversebreakdownvoltageofsemiconductorphotocouplers(diodes)

摘要:本标准适合于光耦合器集电极一发射极反向击穿电压V(BR)(CEO)的测试。

标准编号：SJ2215.7-1982
标准类型：
发布单位：CN-SJ
发布日期：1982年1月1日
强制性标准：是
实施日期：1983年1月1日
关键词：半导体,光耦合器,集电极,发射极,反向击穿电压测试,测试方法

SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法.pdf

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半导体, 发射极, 集电极, 耦合器, 击穿

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