铸造多晶硅中的界工程组分过冷诱生外延枝晶晶界
文档名：铸造多晶硅中的界工程组分过冷诱生外延枝晶晶界
组分过冷现象使铸造硅固液界面发生枝晶生长，外延枝晶下表面会保留在晶体中，形成外延枝晶晶界，外延枝晶晶界可以有效抑制位错生长增殖，降低缺陷浓度，经过优化的铸造多晶硅实例有效提高了电池转换效率。
作者：原帅
作者单位：浙江大学硅材料国家重点实验室;江西赛维LDK高科技有限公司
母体文献：第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称：第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会
会议时间：2017年11月16日
会议地点：徐州
主办单位：中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种：chi
分类号：TM9TK5
关键词：多晶硅铸造工艺固液界面枝晶生长电池转换效率
在线出版日期：2018年10月31日
基金项目：
相似文献
相关博文
页:
[1]